VP0109N3-G P003
/MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
VP0109N3-G P003的规格信息
制造商:Microchip
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-92-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:90 V
Id-连续漏极电流:250 mA
Rds On-漏源导通电阻:15 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:Reel
产品:MOSFET Small Signal
晶体管类型:1 P-Channel
商标:Microchip Technology
下降时间:4 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:3 ns
工厂包装数量:2000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:8 ns
典型接通延迟时间:4 ns
单位重量:453.600 mg
VP0109N3-G P003
VP0109N3-G P003及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| VP0109N3-G P003 | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | Microchip Technology |  | 640.31 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
VP0109N3-G P003的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Mouser 贸泽电子 | VP0109N3-G P003 | Microchip Technology | MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET | 1:¥5.2206
10:¥4.7686
25:¥4.0002
100:¥3.616
250:¥3.39
2,000:¥3.39
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